本文摘要：中国科学院沈阳化学物理研究所清洁能源国家实验室太阳能研究部、催化剂基础国家重点实验室分子催化剂和原位密切相关研究组(503两组)李翠院士、张文华研究员领导的小组是太阳能电池新材料硒简化锡(SnSe 硒简化锡是最重要的IV-VI族半导体，其体相材料的间接带隙为0.90eV，必要带隙为1.30eV，可以吸收大部分太阳光谱。作为含量非常丰富、环境友好、化学平稳的半导体材料，硒简化锡是新型太阳能电池的潜在候选材料之一，因此其纳米材料的制造备受关注。

中国科学院沈阳化学物理研究所清洁能源国家实验室太阳能研究部、催化剂基础国家重点实验室分子催化剂和原位密切相关研究组(503两组)李翠院士、张文华研究员领导的小组是太阳能电池新材料硒简化锡(SnSe 硒简化锡是最重要的IV-VI族半导体，其体相材料的间接带隙为0.90eV，必要带隙为1.30eV，可以吸收大部分太阳光谱。作为含量非常丰富、环境友好、化学平稳的半导体材料，硒简化锡是新型太阳能电池的潜在候选材料之一，因此其纳米材料的制造备受关注。本工作利用溶液化学的优势，采用晶种诱导法首次生长出直径约20nm的SnSe单晶纳米线，长度为几百纳米到几十微米固定式。

光谱密切相关，硒简化锡单晶纳米线显示出明显的量子限制效应：间接和必要的带隙分别超过1。

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